Кояш күзәнәкләре

Кояш күзәнәкләре кристалл кремнийга һәм аморф кремнийга бүленәләр, алар арасында кристалл кремний күзәнәкләрен монокристалл күзәнәкләренә һәм поликристалл күзәнәкләренә бүлеп була;монокристалл кремнийның эффективлыгы кристалл кремнийныкыннан аерылып тора.

Классификация:

Кытайда еш кулланыла торган кояш кристалл кремний күзәнәкләрен бүләргә мөмкин:

Бер кристалл 125 * 125

Бер кристалл 156 * 156

Поликристалл 156 * 156

Бер кристалл 150 * 150

Бер кристалл 103 * 103

Поликристалл 125 * 125

Manufactитештерү процессы:

Кояш күзәнәкләрен җитештерү процессы кремний вафин инспекциясенә бүленә - өслекне текстурлау һәм ашату - диффузия чишелеше - депосфоризация кремний пыяла - плазманы чистарту һәм ашату - чагылышка каршы каплау - экран бастыру - Тиз синтеринг һ.б. Детальләр түбәндәгечә:

1. Кремний вафины тикшерү

Кремний вафлары - кояш күзәнәкләрен йөртүчеләр, һәм кремний вафатларның сыйфаты кояш күзәнәкләренең конверсия эффективлыгын турыдан-туры билгели.Шуңа күрә керә торган кремний вафаларын тикшерергә кирәк.Бу процесс, нигездә, кремний вафиннарның кайбер техник параметрларын онлайн үлчәү өчен кулланыла, бу параметрларга нигездә вафер өслегенең тигезсезлеге, азчылык йөртүче гомере, каршылык, P / N тибы һәм микрокреклар һ.б. керә. Бу җиһазлар төркеме автоматик йөкләү һәм бушатуга бүленә. , кремний вафер тапшыру, система интеграция өлеше һәм дүрт ачыклау модуле.Алар арасында, фотоволтаик кремний вафин детекторы кремний вафин өслегенең тигезсезлеген ачыклый, һәм бер үк вакытта кремний вафиның зурлыгы һәм диагоналы кебек тышкы күренеш параметрларын ачыклый;микро-крекны ачыклау модуле кремний ваферның эчке микро-ярыкларын ачыклау өчен кулланыла;өстәвенә, ике ачыклау модуле бар, онлайн сынау модулларының берсе, нигездә, кремний вафларының күпчелек каршылыгын һәм кремний вафларының төрен сынау өчен кулланыла, калган модуль кремний вафаларының азчылык йөртүчесе гомерен ачыклау өчен кулланыла.Азчылык йөртүченең гомере һәм каршылыгы ачыкланганчы, кремний вафатының диагональ һәм микро-ярыкларын ачыкларга, зарарланган кремний вафинны автоматик рәвештә чыгарырга кирәк.Кремний вафин инспекция җиһазлары ваферларны автоматик рәвештә йөкләргә һәм бушатырга мөмкин, һәм квалификацияләнмәгән продуктларны билгеле урында урнаштыра ала, шуның белән тикшерүнең төгәллеген һәм эффективлыгын күтәрә.

2. faceир өсте текстурланган

Монокристалл кремний текстурасын әзерләү - кремнийның анисотроп эфирын куллану, кремнийның һәр квадрат сантиметры өстендә миллионлаган тетрэдраль пирамида, ягъни пирамида корылмалары.Вакыйга яктылыгының өслектә күп чагылышы һәм сынуы аркасында яктылыкның үзләштерүе арта, һәм кыска схема токы һәм батарейканың конверсия эффективлыгы яхшыра.Кремнийның анисотроп эремәсе гадәттә кайнар эшкәртү эремәсе.Мөмкин булган эшкәртүләр - натрий гидроксиды, калий гидроксиды, литий гидроксиды һәм этиленедиамин.Кремний кремнийның күпчелеге 1% концентрацияле натрий гидроксидының арзан эремәсе ярдәмендә әзерләнә, һәм температура 70-85 ° C.Бердәм сюита алу өчен, кремний коррозиясен тизләтү өчен катлаулы агент буларак этанол һәм изопропанол кебек спиртлар кушылырга тиеш.Сюита әзерләнгәнче, кремний вафины өстән ясалырга тиеш, һәм якынча 20-25 мм эшкәртү яки кислота эремәсе белән сугарылган.Сюдеска беткәч, гомуми химик чистарту үткәрелә.Surfaceир өстендә әзерләнгән кремний вафлары пычрануны булдырмас өчен озак вакыт суда сакланырга тиеш түгел, һәм мөмкин кадәр тизрәк таралырга тиеш.

3. Диффузия төймәсе

Кояш күзәнәкләренә җиңел энергиянең электр энергиясенә әверелүен тормышка ашыру өчен зур мәйданлы PN кушылмасы кирәк, һәм диффузия миче - кояш күзәнәкләренең PN чишелешен җитештерү өчен махсус җиһаз.Күпер диффузия миче, нигездә, дүрт өлештән тора: кварц көймәсенең өске һәм аскы өлешләре, чыгарылган газ камерасы, мич тән өлеше һәм газ кабинеты өлеше.Диффузия гадәттә фосфор оксихлорид сыек чыганагын диффузия чыганагы итеп куллана.П тибындагы кремний вафинны трубка диффузия миченең кварц контейнерына куегыз, һәм азот кулланыгыз, фосфор оксихлоридын кварц контейнерына 850-900 градус температурада.Фосфор оксихлорид кремний вафер белән реакциягә керә, фосфор алу өчен.атом.Билгеле бер вакыттан соң, фосфор атомнары кремний вафинның өске катламына керәләр, һәм кремний атомнары арасындагы бушлыклар аша кремний вафасына үтеп керәләр, N тибындагы ярымүткәргеч белән P- арасында интерфейс ясыйлар. ярымүткәргеч тибын, ягъни PN чишелешен языгыз.Бу ысул белән җитештерелгән PN чишелеше яхшы бердәмлеккә ия, таблицаның каршылыгы бертөрле булмаганлыгы 10% тан ким түгел, һәм азчылык йөртүченең гомере 10мнан зуррак булырга мөмкин.PN чишелешен җитештерү - кояш күзәнәкләрен җитештерүдә иң төп һәм критик процесс.Бу PN чишелешенең формалашуы булганлыктан, электроннар һәм тишекләр агып чыкканнан соң элеккеге урыннарына кире кайтмыйлар, шулай итеп ток барлыкка килә, һәм ток туры ток булган чыбык белән ясала.

4. Дефосфориляция силикат пыяла

Бу процесс кояш күзәнәкләрен җитештерү процессында кулланыла.Химик эфир белән кремний вафаты гидрофлор ​​кислотасы эремәсенә чумдырыла, диффузия системасын бетерү өчен эри торган катлаулы кушылма гексафлоросил кислотасы барлыкка килү өчен химик реакция тудыра.Чишелештән соң кремний вафат өслегендә фосфосилик пыяла катламы барлыкка килгән.Диффузия процессында POCL3 O2 белән реакциядә кремний вафаты өслегендә урнашкан P2O5 формалаштыра.P2O5 Si белән реакциядә SiO2 һәм фосфор атомнары ясыйлар, шулай итеп, фосфорилик пыяла дип аталган кремний вафат өслегендә фосфор элементлары булган SiO2 катламы барлыкка килә.Фосфор силикат пыяла чыгару өчен җиһазлар, гадәттә, төп тән, чистарту танкы, серво йөртүче системасы, механик кул, электр белән идарә итү системасы һәм кислота автоматик тарату системасыннан тора.Төп энергия чыганаклары - гидрофлор ​​кислотасы, азот, кысылган һава, саф су, җылылык чыгару җиле һәм калдыклы су.Гидрофлор ​​кислотасы кремнийны эретә, чөнки гидрофлор ​​кислотасы кремний белән реакцияләнә, кремний тетрафлорид газын барлыкка китерә.Әгәр дә гидрофлор ​​кислотасы артык булса, реакциядә җитештерелгән кремний тетрафлорид гидрофлор ​​кислотасы белән тагын да реакцияләнәчәк, эри торган комплекс, гексафлоросил кислотасы.

5. Плазма

Диффузия процессы вакытында, арткы диффузия кабул ителсә дә, фосфор котылгысыз рәвештә барлык өслекләргә таралыр, кремний вафаты читләрен дә кертеп.PN чишелешенең алгы ягында җыелган фотогенерацияләнгән электроннар фосфор PN узышының арткы ягына таралган кыр кыры буйлап агылачак, кыска схемага китерә.Шуңа күрә, кояш күзәнәге тирәсендәге допедлы кремний күзәнәк читендәге PN чишелешен бетерү өчен ясалырга тиеш.Бу процесс гадәттә плазманы чистарту ысуллары ярдәмендә башкарыла.Плазманы эшкәртү түбән басымлы хәлдә, CF4 реактив газының төп молекулалары ионлаштыру һәм плазма формалаштыру өчен радио ешлык көче белән дулкынланалар.Плазма корылма электроннар һәм ионнардан тора.Электроннар тәэсирендә реакция камерасындагы газ энергияне үзләштерә һәм ионга әверелүдән тыш күп санлы актив төркемнәр барлыкка китерә ала.Актив реактив төркемнәр SiO2 өслегенә диффузия аркасында яки электр кыры тәэсирендә барып җитәләр, анда алар химик реакциягә эләгәләр, һәм материал өслегеннән аерылып торган үзгәрүчән реакция продуктлары ясыйлар. чистартылган, вакуум системасы белән куыштан чыгарыла.

6. Рекламага каршы каплау

Кремний өслегенең чагылышы 35% тәшкил итә.Surfaceирнең чагылышын киметү һәм күзәнәкнең конверсия эффективлыгын күтәрү өчен кремний нитрид анти-чагылыш пленкасы катламын куярга кирәк.Промышленность производствосында PECVD җиһазлары еш кына анти-чагылыш фильмнары әзерләү өчен кулланыла.PECVD - плазманы көчәйтелгән химик пар парламенты.Аның техник принцибы - түбән температуралы плазманы энергия чыганагы итеп куллану, үрнәк түбән басым астында ялтыравык катодына урнаштырыла, ялтыравык агымы үрнәкне алдан билгеләнгән температурага җылыту өчен кулланыла, аннары тиешле күләмдә. SiH4 һәм NH3 реактив газлары кертелә.Химик реакцияләр һәм плазма реакцияләреннән соң, үрнәк өслегендә каты дәүләт фильмы, ягъни кремний нитрид пленкасы барлыкка килә.Гомумән алганда, бу плазманы көчәйтелгән химик парны туплау ысулы белән урнаштырылган фильмның калынлыгы якынча 70 нм.Бу калынлыктагы фильмнар оптик функциягә ия.Нечкә пленка интерфейсы принцибын кулланып, яктылыкның чагылышы сизелерлек кимергә мөмкин, кыска схема токы һәм батареяның чыгышы зурайган, һәм эффективлык та шактый яхшырган.

7. экран бастыру

Кояш күзәнәге текстурлау, диффузия һәм PECVD процессларын үткәннән соң, PN тоташуы барлыкка килде, ул яктырту астында ток барлыкка китерә ала.Генерацияләнгән токны экспортлау өчен, батарея өслегендә уңай һәм тискәре электродлар ясарга кирәк.Электродлар ясауның күп ысуллары бар, һәм экранда бастыру - кояш күзәнәкләре электродларын ясау өчен иң таралган җитештерү процессы.Экран бастыру - субстратта алдан билгеләнгән үрнәкне бизәү ярдәмендә бастыру.Theиһаз өч өлештән тора: батарейка артында көмеш-алюминий паста бастыру, батарея артында алюминий паста бастыру, һәм батареяның алгы өлешендә көмеш-паста бастыру.Аның эш принцибы: скринкага үтеп керү өчен, экран үрнәгенең сеткасын кулланыгыз, экранның чүпрәк өлешенә билгеле бер басым ясагыз, һәм экранның икенче очына таба барыгыз.Сыя график өлешнең мешыннан субстратка кысылганда кысыла.Пастаның ябыштыргыч эффекты аркасында, эз билгеле бер диапазонда урнаштырыла, һәм кысу һәрвакыт бастыру тәлинкәсе һәм субстрат белән сызыклы контактта, һәм контакт сызыгы кысу хәрәкәте белән хәрәкәтләнә. бастыру.

8. тиз синтеринг

Экранда басылган кремний вафаны турыдан-туры кулланып булмый.Органик резин бәйләүчене яндыру өчен, тиз мичтә синтерлаштырырга кирәк, пыяла тәэсире аркасында кремний вафаты белән тыгыз бәйләнгән саф көмеш электродлар диярлек.Көмеш электрод һәм кристалл кремний температурасы эвтектик температурага җиткәч, кристалл кремний атомнары эретелгән көмеш электрод материалына билгеле бер пропорциядә интеграцияләнәләр, шуның белән өске һәм аскы электродларның охмик контактын формалаштыралар, һәм ачык схеманы яхшырталар. күзәнәкнең көчәнеше һәм тутыру факторы.Төп параметр - күзәнәкнең конверсия эффективлыгын күтәрү өчен каршылык характеристикасына ия булу.

Синтеринг миче өч этапка бүленә: синтеринг алдыннан, синтеринг һәм суыту.Синтерингка кадәрге этапның максаты - полимер бәйләүчене чүпләү һәм яндыру, һәм бу этапта температура әкрен күтәрелә;Синтеринг стадиясендә, төрле физик һәм химик реакцияләр синтерланган организмда тәмамлана, резистив кино структурасын формалаштыра, аны чыннан да каршылыклы итә., температура бу этапта иң югары ноктага җитә;суыту һәм суыту стадиясендә пыяла суытыла, каты һәм каты була, шуңа күрә резистив кино структурасы субстратка ныклап ябыштырыла.

9. Периферияләр

Күзәнәк җитештерү процессында электр белән тәэмин итү, энергия, су белән тәэмин итү, дренаж, HVAC, вакуум, махсус пар кебек периферия корылмалары да кирәк.Янгыннан саклау һәм әйләнә-тирә мохитне саклау җиһазлары куркынычсызлыкны һәм тотрыклы үсешне тәэмин итү өчен аеруча мөһим.Еллык 50МВт кояш күзәнәк җитештерү линиясе өчен процессның һәм электр җиһазларының энергия куллануы 1800КВ тирәсе.Чиста су процессы сәгатенә якынча 15 тонна тәшкил итә, һәм су сыйфаты таләпләре EW-1 Кытайның электрон класслы су GB / T11446.1-1997 стандартына туры килә.Суыту процессы күләме шулай ук ​​сәгатенә якынча 15 тонна, су сыйфаты буенча кисәкчәләр күләме 10 микроннан, су белән тәэмин итү температурасы 15-20 ° C булырга тиеш.Вакуум чыгару күләме якынча 300M3 / H.Шул ук вакытта якынча 20 куб метр азот саклагычлары һәм 10 куб метр кислород саклагычлары кирәк.Силан кебек махсус газларның куркынычсызлык факторларын исәпкә алып, җитештерү куркынычсызлыгын тулысынча тәэмин итү өчен махсус газ бүлмәсе булдырырга кирәк.Моннан тыш, силан яну манаралары һәм канализация чистарту станцияләре күзәнәк җитештерү өчен кирәкле корылмалар.